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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
15.0
16.1
写入速度,GB/s
10.3
12.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3140
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
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