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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
77
En -305% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3370
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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