RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3370
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link