RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
77
En -48% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
52
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2893
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link