RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
18.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
77
En -328% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3529
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link