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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
77
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.2
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
58
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2108
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
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