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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
77
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.2
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
58
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2108
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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