RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
77
En -114% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2515
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link