RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
77
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2515
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link