RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
77
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
57
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2328
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link