RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
77
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2328
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link