RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
66
77
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
66
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1934
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link