RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
77
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
66
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1934
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link