RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
77
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
66
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1934
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link