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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
77
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
53
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2366
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
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Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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