RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 20
    Среднее значение в тестах
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Причины выбрать
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    53 left arrow 77
    Около -45% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.4 left arrow 2,622.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 53
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,405.2 left arrow 20.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,622.0 left arrow 9.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    763 left arrow 2366

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
модули RAM