RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
77
En -305% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3689
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kllisre 36JSF1G72PZ-1G9K1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link