Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB

Puntuación global
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 30
    En 10% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 5.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 5.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2196 left arrow 1739
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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