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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
1739
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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