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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
5.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
5.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
1739
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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