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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
1739
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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