RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
1739
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link