Comparación de la memoria RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Puntuación global

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

36 37

En 3% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.9 15

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.8 10.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 17000

En 1.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2569 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns