RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3170
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link