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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
比較する
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
37
周辺 3% 低遅延
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
37
読み出し速度、GB/s
15.0
16.9
書き込み速度、GB/秒
10.3
13.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
25600
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
3170
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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