RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
36
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
18
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
3607
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link