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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
36
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
18
读取速度,GB/s
15.8
20.6
写入速度,GB/s
11.8
18.6
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3607
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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