RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
36
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3607
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link