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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En -44% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
2346
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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