Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 11.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 17000
    Около 1.25% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 36
    Около -44% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.8 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 11.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2497 left arrow 2346
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения