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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
11.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno -44% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
25
Velocità di lettura, GB/s
15.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
2346
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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