RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3473
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link