RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3473
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF073F-ELF 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link