RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3473
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link