RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3473
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link