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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2107
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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