RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2594
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link