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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
63
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2429
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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