RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2594
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link