RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3876
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link