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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2240
2901
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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