RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2240
2901
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link