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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
14.1
16.0
写入速度,GB/s
8.2
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2240
2901
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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