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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kllisre 8GB
Compara
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Kllisre 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kllisre 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kllisre 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
46
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2240
2349
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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