RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kllisre 8GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Kllisre 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Kllisre 8GB

Kllisre 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 46
    周辺 11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 11.7
    テスト平均値
Kllisre 8GB 考慮すべき理由
Kllisre 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kllisre 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2240 left arrow 2349

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB RAMの比較

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kllisre 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較