Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 13.1
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 43
    En -26% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 34
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 13.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 8.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2216 left arrow 2158
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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