RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB Powody do rozważenia
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 13.1
    Średnia wartość w badaniach
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    34 left arrow 43
    Wokół strony -26% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 13.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 8.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2216 left arrow 2158

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Pamięć RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Pamięć RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Pamięć RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Pamięć RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Pamięć RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Pamięć RAM