Confronto tra le RAM Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

34 43

Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.6 8.2

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2216 2158

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns