RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3306
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link