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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3422
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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