Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
star star star star star
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 37
    En -54% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.2 left arrow 13.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 17.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2143 left arrow 3204
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones