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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3781
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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