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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3781
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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